Mit der nutzung Von kohlenstoffsilikon (psych) und galliumarsenid (GBG) wird das gerät als operativ eingesetzt, wodurch die rechnerleistung dem ideal näherkommt. Im vergleich zu silizium - und IGBT ist das rücksichtslose und dynamische mk-gerät viel geringer. Es gibt auch andere vorteile, wie höhere arbeitsumgebungen, eine bessere thermo-führungsqualität, aber mindestens carbon.
Sie stellt die fähigkeit des silikons vor das silizium. Bei der elektrotechnik sind diese vorteile besonders attraktiv, da sie nicht nur energie sparen, sondern auch kosten, größen und gewicht der elektronik reduzieren.
Die geräte Von karbonat und gallium zerbrechen bei regelmäßigem risiko und spannung und bringen ihnen so bessere leistungswerte wie silikon und gallium bei (siehe grafik). Aber im elektronischen bereich ist es schwierig, das gerät auszusuchen. Beim umsatzwachstum entwickelt sich auch der IGBT - und mosfet-trend weiter. Es ist also zeit, darüber nachzudenken, ob ein wechsel zu gletschergerät sinnvoll ist und wann es besser ist, mit gerät zu beginnen, und dann zu entscheiden, ob man eine silikonform Von gallid Oder gallid wählen soll.
IGBT ist wirklich sehr nützlich
IGBT hat viele vorteile im hinblick auf die motorsteuerung, vor allem bei hohen leistungskonzentrationen, wobei die konstante sättigung ihren leistungsverlust niedriger hält und ungefähr positiv zur leistung des gerätes ist. Die leistung zerfällt bei der wechselt aber sehr stark, besonders bei abbruch. Ein grund dafür ist, dass die kleinen fließstäbe durch eine umgebaute "elektrische ladung" erzeugt werden, wobei die schaltfrequenz der motorsteuerung normalerweise niedrig ist, wodurch es im durchschnitt ein sehr geringes verderb gibt. Allerdings wird bei der igbt-herstellung der balance zwischen ossigkeit und sättigung berücksichtigt. So ist es möglich, genau zu untersuchen, wie es die klassische MWM gegen 10 bis 20wm mit einer typischen motorenbreite Von 10 bis 20wm gemacht hat, um die erschöpfung der geräte zu optimieren. Und kann eine diode verbinden, die mit der antiscout-orientierung, dem umherwechseln der emotionsmenge Oder dem transport der macht in zwei richtungen arbeitet. Diese diode ist gewöhnlich aus carbonsilizium und wird verpackt. Igzui liegt vermutlich am besten an niedrigen kosten und an der erprobten festigkeit (wenn etwa aus seinen größeren kristallisieren des sterns um eine bessere wärme zu gewinnen).
Silizium fet spielt auch in der motorensteuerung
Bei leichten kw und 1200V sollten die elektroelektrik üblicherweise auf silikon MOSFET umgestellt werden, wobei die leistung für den übergang zur grenze relativ gering ist. Die wm ist immer noch für die zuijiaPWM bekannt, ja, dass sich bei etwa 10jiapwm der vorteil des ausschnallen der geräte wenig unterscheidet. Einige hohe PWM -frequenzen sind für schnelle und low-tech formatiert, weil es die stromwellen mit lokalen parametern formatiert und die reaktionsfähigkeit mit lokalen parametern erhöht.
Stromverlust hängt Von dem widerstand des MOSFET ab und ist direkt proportional zur periodenbalance. Die mosfet-leistung wurde angesichts mehr macht schnell unerträglich. Doch es gibt auch einen vorteil beim wettverlust, der MOSFET kalkuliert. Für einige anwendungen Laufen ihre motoren die meiste zeit im bereich einer geringeren Oder mittelmäßigen leithöhe (wie zum beispiel leitkraft). Die MOSFET hatte im umgang mit transmissionsverlust einen vorteil gegenüber der tatsache, dass die kollektoren mit dinger quasi beständig eine konstante sättigung empfingen. MOSFET könnte den widerstand gegenüber elektrischem strom verringern, und sie haben tatsächlich den vorteil, dass sie intrintrinde denker verwenden können, um zu transmittieren und zu transmittieren. Außerdem verläuft der graben im geländer mit minimalem verlust und unter kontrolle der gitterstäbe rückwärts.
Mit den messergeräten verschiedener materialien verbinden
Grafik 1: silikon, carbon und galliumarsenid wären aus dem labor auf die absur
Technik mit guten und schlechten eigenschaften
Also, welche vorteile gibt es mit der breitbandtechnologie? Die grafik 1 zeigt, dass die leitungsqualität der breitbandklüfte unter gleichen bedingungen wie die kapazität des bohrgeräts und die nennspannung unter infusionsverlust liegen kann, da die entsprechenden breitbandspalten eine größere elektrische spannung aufweisen und auch geringere entfernungen. Auch die besseren elektronischen solarzellen bei galliumarsenid verringern den elektrischen widerstand. Bei niedriger und mittel geht die stromzufuhr auch unter ibt ab. Bei 50A ist etwa die igbt-sättigung unter 1,5 V hoch und bietet dann eine regie Von 75W. Der weg des widerstandes führt zu 30 kernen silizifet Oder auch kalt dahinschwingende (glast-transistoren) mit hohem elektrischer widerstand. Das gerät Von heute ist leicht in diese zahl zu gelangen man denke etwa an onsemi atami mi 20 Ohm widerstand. Diese MOSFET machen fortschritte, wenn man sie Enger verknüpft. Ihre widerstand ist 25 ° C, hat, und widerstand mit die und sich. Silikon MOSFET und silikon MOSFET, es gibt auch eine mobile diode. Er ist schnell und hält sich nur geringe elektrische ladung auf, aber er fällt mehr positiv ab als das silikon, so dass seine zielzeit kurz vor der zielzeit "der toten zone" kurz gemacht werden muss, bevor er mit extrem scharfen bodenleitungen die gräben offline macht.
Im vergleich zu den silikontöpfen hat man bei den gesprächen mit elektrischem widerstand und zusammenarbeit bei gum senid deutliche fortschritte gemacht. Bisher aber funktionieren sie nur für hypothetische stromgrößen in den typ 650V, nur mit oberfläche entstellten, hemdinnen aus dem schädel. Um für eine höhere spannung zu sorgen, werden vertikale kanäle untersucht, aber technologische durchbrüche sind problematisch, wenn diese silizium sind, was für die aufrechterhaltung geringer kosten notwendig ist. In den galliumarseniden ding gibt es keine aktiven dioden. Während die negative ladung im kanal null ist, fällt der wert hoch und instabil. Der abstieg hängt Von der hohen schwelle und Von jeder benutzten negativen spannung ab.
Ein schutzgitter für breitbandmessgeräte ist entscheidend
Knallharte stäbe Waren ausschlaggebend für silikonfet und gallid, und die schwelle war niedrig. Die zwecke Von gallid werden Von kleiner treibender spannung gesteuert, die maximal 7V bringt. Bis zu 18 V braucht karbonat, um vollkommen gesättigt zu werden, also fast so gut wie der 22V (wobei die realen werte jedoch Von der speziellen form der silikon abhängig sind). Daher bedarf es einer gut gebauten grundkonfiguration, um belastungsstörungen zu vermeiden, die durch messschwankungen verursacht werden, wie z. B. Von joggen, die verbunden sind mit sensoren an einem geyoder Oder für spinnfische. Die elektronik mit dem gitter und der verbindung zwischen den beiden stäben kann ebenfalls zu disinterferenzen und katastrophalen verwerfungen führen (siehe abbildung 2). Michaellaming könnte einen ähnlichen effekt auf dV/dt haben. Durch die motorsteuerung wird außerdem stress bei elektrischen störungen und zu starkem magnetismus automatisch die außenseiter reduziert. Metallverlust kann auch durch elektrische störungen verursacht werden, die vom hohen di/dt über den motorroller erzeugt werden.
Es könnte also sein, dass die empfindlichkeit der geräte für bestückung und gedränge ein problem ist. Solche schwierigkeiten sind mit dem aufkommen des integrierten energiemodulers behoben worden. Es ist jedoch schwer vorherzusagen, welche einflüsse Von außen einflüsse haben, und es lohnt sich, die spannkraft der gerät bei abnormalen bedingungen wie dem regelmäßigen leistungsstrom und den kurzschluss zu beachten. Silimosfet ist eine nennleistung in potenzieller lawine, aber die verlässlichkeit der ergebnisse wird noch in tests und vor ort ermittelten. Die gentleman in den leuchtstrahlern der gallischen trockne würden in sekundenfällen kollabieren. Aber der hersteller hat noch viel spielraum zwischen den zahlen der erschaffenen und den großen werten Von juezui. Die bewertung der leistungsfähigkeit der breitbandmessgeräte geht weiter, bis der wert der nanosekunden vor dem zahlungsausfall realistisch ist. Es ist bekannt, dass es nun bei einem elektronischen ereignis mit der maschine zu langsamem abfall und neuen barrieren kommt, was in einigen anwendungen ein problem sein könnte.
Du hast eine starke wirkung
Abbildung 2: hoher di/dt erzeugt spannung zwischen den spitzen eines porzellangiastes, der ein kommodierendes L verursacht.
Eine breitbandkluft ist eine gute möglichkeit, für niedrigeres verderb zu sorgen
Mit zunehmender technik sinken die preise der breitbandkluft auch zu preiswing für konventionelle gerät. Bei einem anstieg des leistungsumfangs der motorgesteuerten anwendungen ist der einsatz der breitbandskigeräte nicht so weit wie igbe und silizimosfet, also weniger transport - und temperaturverlust. Es gibt zwar einige unterschiede bei den lohnstückkosten im vergleich zu älteren technologien, aber die energiesparfaktoren der gerät sind entscheidend, und durch verbesserte wärmegröße, gewicht und kosten der abtrennung könnten dem system zusätzliche vorteile entstehen. Weißt du, kohlsilikon MOSFET hat weißt, dass du höhere löst, höheren unterliegen und hitzestress ausnutzt, und dass du dich bei den neuen motoren betrogen hast. Aber bei anwendungen mit geringer spannung und geringer spannung kann man zur verwendung Von gallid diäten und für langsameres schwund herangezogen werden.